我司低氧氮化硅粉末研制获重大突破

        氮化硅是一种新型非金属陶瓷材料，其具有优异的热性能、机械性能、绝缘性和化学稳定性，在高端陶瓷构件、超高温涂层以及导热基板等领域具有广阔应用前景。尤其是随着第三代半导体在功率模块方面的应用，兼具高导热和高机械强度的氮化硅导热基板成为了第三代碳化硅半导体功率器件的首选导热材料。目前特斯拉和比亚迪等新能源车龙头企业已经率先将高导热氮化硅陶瓷应用于新能源汽车领域。

      高品质氮化硅粉末是制备优质氮化硅导热基板的基础原材料，目前以硅粉+氮源（氮气或氨气及二者混合物）的高温氮化工艺为主要生产工艺。高温氮化后的产物经过破碎筛分得到相应粉体。氮化硅产品的品质考察指标主要包括α相含量、氧含量、粒度分布及杂质元素含量。其中α相含量的高低以及粒度分布直接关系到后续烧结基板的一致性和致密性，一般认为α相含量越高，粒度越细，得到的烧结基板一致性和致密性越好。氧含量高低对基板的导热性能有直接影响，因为氧会在烧结过程中聚集到颗粒晶界，干扰传热过程中声子的迁移，降低热导率，因此一般粉末中氧含量越低，得到的基板热导率越高。在上述指标中，高α相可通过焙烧过程调控温度及添加助剂的方式获得，超细的粒度可通过各种研磨手段实现。但氧含量的降低却是困扰传统氮化工艺的难题，因为氮化硅在超细研磨过程中，不可避免发生氧化，造成氧含量升高。亦有厂家通过乙醇体系的砂磨工艺，制得氧含量在1.0%左右的超细氮化硅粉末，但该方法工艺成本较高，且只能保障研磨过程氧含量不升高，无法降低颗粒氧含量。因此，如何低成本的制得超低氧的超细氮化硅颗粒，是目前行业面临的一个难题。

我司研发团队经过科研攻关，成功制得D98低于3μm，氧含量在0.6%左右的氮化硅粉末，粉末各项指标均优于国内外同等级竞品，成本远低于亚胺硅热解法，是制作功率模块中氮化硅导热基板的理想原料。具体产品信息，欢迎来电垂询。